План-конспект учебного занятия (технологическая карта) на тему: «Электрический ток в полупроводниках. План-конспект урока по технологии на тему "полупроводниковые приборы". (9 класс) План урока на тему полупроводниковые материалы
Объясняет особенности.
Полупроводники — вещества, способные, как проводить электрический ток, так и препятствовать его прохождению. Это большая группа веществ, применяемых в радиотехнике (германий, кремний, селен, а так же всевозможные сплавы и химические соединения н-р окись меди). Почти все вещества окружающего нас мира являются полупроводниками. Самым распространенным в природе полупроводником является кремний, составляющий по приблизительным подсчетам почти 30 % земной коры. Для изготовления полупроводниковых приборов используют в основном только кремний и германий. (найдите их в таблице Д. И. Менделеева — Приложение 2). Какую валентность они имеют (в таблице Д. И. Менделеева найдите номер столбца в котором они находятся)?
По своим электрическим свойствам полупроводники занимают среднее место между проводниками и непроводниками электрического тока. Запишите в тетрадь определение что такое полупроводник.
Рассмотрим следующие три опыта (демонстрация или плакаты)
Первый опыт: Нагревание полупроводника
Посмотрите, что происходит при увеличении температуры? Сопротивление будет уменьшаться при увеличении температуры?
Какой вывод можно сделать?
Электропроводность полупроводников сильно зависит от окружающей температуры. При очень низкой температуре, близкой к абсолютному нулю (-273), полупроводники не проводят электрический ток, а с повышением температуры, их сопротивляемость току уменьшается. На основе этого были созданы термоэлектрические приборы.
Термисторы. В полупроводниках электрическое сопротивление очень сильно зависит от температуры. Это свойство используют для измерения температуры по силе тока в цепи с полупроводником. Такие приборы называют термисторами или терморезисторами.
Термисторы — одни из самых простых полупроводниковых приборов. Выпускают термисторы в виде стержней, трубок, дисков, шайб и бусинок размером от нескольких микрометров до нескольких сантиметров.
Диапазон измеряемых температур большинства термисторов лежит в интервале от 170 до 570 К. Но существуют термисторы для измерения как очень высоких (примерно 1300 К), так и очень низких (примерно 4 — 80 К) температур. Термисторы применяются для дистанционного измерения температуры, противопожарной сигнализации и т. д.
Второй опыт: Освещение светом полупроводника
Посмотрите, что происходит при увеличении освещенности?
Какой вывод можно сделать?
Если на полупроводник навести свет, то его электропроводность начинает увеличиваться. Используя это свойство полупроводников были созданы фотоэлектрические приборы. Также полупроводники способны преобразовывать энергию света в электрический ток, например, солнечные батареи.
Фоторезисторы. Электрическая проводимость полупроводников овышается не только при нагревании, но и при освещении.
Можно заметить, что при освещении полупроводника сила тока в цепи заметно возрастает. Это указывает на увеличение проводимости (уменьшение сопротивления) полупроводников под действием света. Данный эффект не связан с нагреванием, так как может наблюдаться и при неизменной температуре.
Электрическая проводимость возрастает вследствие разрыва связей и образования свободных электронов и дырок за счет энергии света, падающего на полупроводник. Это явление называют фотоэлектрическим эффектом.
Приборы, в которых используют фотоэлектрический эффект в полупроводниках, называют фоторезисторами или фотосопротивлениями. Миниатюрность и высокая чувствительность фоторезисторов позволяют использовать их в самых различных областях науки и техники для регистрации и измерения слабых световых потоков. С помощью фоторезисторов определяют качество поверхностей, контролируют размеры изделий и т. д.
Третий опыт: Добавление примеси в полупроводник
Посмотрите, что происходит?
Какой вывод можно сделать?
При введении в полупроводник примесей определенных веществ их электропроводность резко увеличивается.
Запишем в тетрадь свойства полупроводников
Электропроводность повышается при повышении температуры (терморезистор)
Электропроводность повышается при освещении (фоторезистор, солнечные батареи)
Электропроводность повышается при введении в полупроводник некоторых примесей. (полупроволниковый диод)
Свойства полупроводников зависят от их внутреннего строения. Рассмотрим кремний — четырехвадентный элемент (показать трехмерную модель) т. е. во внешней оболочке атома имеются четыре электрона, слабо связанные с ядром. Число ближайших соседей каждого атома кремния также равно четырем.
Взаимодействие пары соседних атомов осуществляется с помощью парноэлектронной связи, называемой ковалентной связью. В образовании этой связи от каждого атома участвует по одному валентному электрону. Атомы расположены так близко друг к другу, что их валентные электроны образуют единые орбиты, проходящие вокруг соседних атомов, тем самым связывая атомы в единое целое вещество.
Зарисуем получившуюся картинку в тетрадь.(рисунок на доске) Студенты выполняют такой же рисунок в тетради. Добавим больше соседних атомов.
При нагревании кремния кинетическая энергия частиц повышается, и наступает разрыв отдельных связей. Некоторые электроны становятся свободными и перемещаются между узлами решетки, образуя электрический ток. Проводимость полупроводников, обусловленную наличием у них свободных электронов, называют, электронной проводимостью. При разрыве связи образуется вакантное место с недостающим электроном — дырка.
При низких температурах связи не разрываются, поэтому кремний при низких температурах не проводит электрический ток.
Проводимость чистых полупроводников, без примесей (собственная проводимость) осуществляется перемещением свободных электронов (электронная проводимость) и перемещением связанных электронов на вакантные места парноэлектронных связей (дырочная проводимость). Проводимость полупроводников чрезвычайно сильно зависит от примесей. Именно эта зависимость сделала полупроводники тем, чем они стали в современной технике. Различают донорные и акцепторные примеси. При наличии донорной примеси в полупроводнике, если в кремний добавить мышьяк, наблюдается избыток электронов, полупроводник называется n -типа, при наличии акцепторных примесей, если в кремний добавить индий, наблюдается избыток дырок, полупроводник называется р-типа.
Полупроводники
Полупроводники – большой класс веществ, удельное сопротивление которых изменяется в широких пределах от 10 -5 до 10 10 Ом∙м .
Полупроводники обладают промежуточными свойствами между металлами и диэлектриками. Характерным для полупроводников является не величина удельного сопротивления, а то, что она под воздействием внешних условий изменяется в широких пределах.
К полупроводникам относятся :
а) элементы III, IV, V и VI групп периодической системы элементов, например Si , Ge , As , Se , Te ;
б) сплавы некоторых металлов;
в) оксиды (окислы металлов);
г) сульфиды (сернистые соединения);
д) селениды (соединения с селеном).
Сопротивление полупроводников зависит от:
а) температуры;
б) освещённости;
в) наличия примесей.
Электрическое сопротивление полупроводников уменьшается и при освещении их светом.
1. Собственная проводимость полупроводников.
Собственная проводимость – электрическая проводимость химически чистого полупроводника.
В типичном полупроводнике (кристалле кремния Si
) атомы объединены ковалентной (атомной) связью
. При комнатной температуре средняя энергия теплового движения атомов в кристалле полупроводника составляет 0,04 эВ
. Это значительно меньше энергии, необходимой для отрыва валентного электрона, например, от атома кремния (1,1 эВ
). Однако вследствие неравномерности распределения энергии теплового движения или при внешних воздействиях некоторые атомы кремния ионизируются. Образуются свободные
электроны
и вакантные места в ковалентной связи – так называемые дырки
. Под воздействием внешнего электрического поля возникает упорядоченное движение свободных электронов и упорядоченное движение в противоположном направлении такого же количества дырок.
Электронная проводимость или проводимость n -типа (от лат. negative – отрицательный) – проводимость полупроводников, обусловленная электронами.
Дырочная проводимость или проводимость p -типа (от лат. positive – положительный) – проводимость полупроводников, обусловленная дырками.
Таким образом, собственная проводимость полупроводника обусловлена одновременно двумя типами проводимости – электронной и дырочной .
2. Примесная проводимость полупроводников.
Примесная проводимость – электрическая проводимость полупроводников, обусловленная наличием примесей (примеси – атомы посторонних элементов).
Наличие в полупроводнике примеси существенно изменяет его проводимость. Например, при введении в кремний примерно 0,001 ат.% бора его проводимость увеличивается примерно в 10 6 раз.
В основном, атомы примеси имеют валентность, отличающуюся на единицу от валентности основных атомов.
Донорные примеси – примеси с большей валентностью, сообщающие полупроводнику электронную проводимость .
Полупроводник (кремний) + донор (мышьяк) = полупроводник n -типа.
Акцепторные примеси – примеси с меньшей валентностью, сообщающие полупроводнику дырочную проводимость .
Полупроводник (кремний) + акцептор (индий) = полупроводник р -типа.
3. Полупроводниковые диоды и триоды. Их применение.
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств p - n -перехода.
Электронно-дырочный переход (или p - n –переход ) – граница соприкосновения двух полупроводников с различными типами проводимости.
Через границу раздела происходит диффузия электронов и дырок, которые встречаясь рекомбинируют.
На границе раздела в электронном полупроводнике остаются положительные ионы донорной примеси, а в дырочном образуются отрицательные ионы акцепторов. Образуется так называемый запирающий слой (двойной электрический слой), напряжённость которого Е зап направлена от электронного полупроводника к дырочному. Через этот двойной слой могут прорваться из n -полупроводника в p -полупроводник только такие электроны, которые обладают для этого достаточно большими энергиями. Внешнее электрическое поле, приложенное к двум разнородным полупроводникам, в зависимости от своего направления может и ослаблять поле запирающего слоя.
Запирающий слой обладает односторонней проводимостью
: запирающий слой пропускает ток в направлении, противоположном полю запирающего слоя, и не пропускает ток в направлении, совпадающем с полем запирающего слоя.
Полупроводниковый диод – прибор с одним p - n -переходом.
Вольт-амперная характеристика – зависимость силы тока I от напряжения U , приложенного к диоду.
Полупроводниковый триод (или транзистор) – прибор с двумя p - n -переходами.
Транзисторы (как и ламповые триоды) служат для усиления слабых электрических сигналов.
Контрольные вопросы
1. Какие вещества называются полупроводниками?
2. Чем отличаются полупроводники от проводников и диэлектриков?
3. От чего зависит электропроводность полупроводников?
4. Какие свойства полупроводников используются в термо- и фоторезисторах?
5. Каков механизм собственной проводимости полупроводников?
6. Как образуются свободные электроны и дырки?
7. Каков механизм примесной проводимости полупроводников?
8. Какие примеси называются донорными, а какие – акцепторными?
9. Как объяснить одностороннюю проводимость p - n -перехода?
10. Какова вольт-амперная характеристика p - n -перехода? Объясните возникновение прямого и обратного тока.
11. Какое направление в полупроводниковом диоде является пропускным для тока?
12. Что такое полупроводниковый триод (или транзистор)?
ВСЕ УРОКИ ФИЗИКИ 11 класс
АКАДЕМИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ
1-й семестр
ЭЛЕКТРОДИНАМИКА
2. Электрический ток
УРОК 12/23
Тема. Полупроводниковые приборы
Цель урока: разъяснить учащимся принцип работы полупроводниковых приборов.
Тип урока: урок изучения нового материала.
ПЛАН УРОКА
Контроль знаний |
1. Чем обусловлена электронная проводимость полупроводника? 2. Чем обусловлена дырочная проводимость полупроводника? 3. Какие примеси называют донорными? акцепторными? 4. Какую примесь надо ввести, чтобы получить полупроводник n -типа? p -типа? |
|
Демонстрации |
Фрагменты видеофильма «Электрический ток в полупроводниках». |
|
Изучение нового материала |
1. Полупроводниковый диод. 2. Как работает транзистор? 3. Применение полупроводников. 4. Интегральные микросхемы. |
|
Закрепление изученного материала |
1. Качественные вопросы. 2. Учимся решать задачи. |
ИЗУЧЕНИЕ НОВОГО МАТЕРИАЛА
Полупроводниковый диод использует одностороннюю проводимость p -n -перехода. Такой диод имеет два контакта для присоединения к окружности.
Часто говорят, что в незначительное сопротивление диода в прямом направлении и очень большое сопротивление - в обратном. Однако это не совсем точное утверждение: по сути, для полупроводников вообще и особенно для электронно-дырочных переходов не выполняется закон Ома. Поэтому любого постоянного сопротивления в таких проводников нет.
Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода имеет вид:
Полупроводниковые диоды используют для выпрямления тока переменного направления (такой ток называют переменным), а также для изготовления свето-диодов. Полупроводниковые выпрямители являются высоконадежными и имеют значительный срок использования.
Широко применяют полупроводниковые диоды в радиотехнических устройствах: радиоприемниках, видеомагнитофонах, телевизорах, компьютерах.
Чрезвычайно важными являются полупроводники в транзисторах.
Транзисторы - полупроводниковые приборы с двумя p - n -переходами.
Главным элементом транзистора является полупроводниковый кристалл, например германий, с введенными в него донорными и акцепторными примесями. Примеси распределены так, что между полупроводниками с одинаковой примесью (их называют эмиттер и коллектор) остается тонкий слой германия с примесью другого типа - этот слой называют базой.
Транзисторы бывают двух типов: p -n -p -транзисторы (рис. а) и n -p -n -транзисторы (рис. б).
В транзисторе p -n -p -типа в эмиттере и коллекторе дырок существенно больше, чем электронов, а в базе больше электронов; в транзисторе n -p -n -типа в эмиттере и коллекторе электронов больше, чем дырок, а в базе больше электронов.
Рассмотри работу транзистора p - n - p -типа. Три вывода транзистора из участков с различными типами проводимости включают в круг так, как показано на рисунке.
Если потенциал базы p - n - p -транзистора выше потенциала эмиттера, то ток не протекает через транзистор. Следовательно, транзистор может работать как электронный ключ. Если же потенциал базы ниже потенциала эмиттера, то даже незначительные изменения напряжения между эмиттером и базой приводят к значительным изменениям силы тока в цепи коллектора и, соответственно, к изменению напряжения на резисторе значительного сопротивления.
Рассмотрев работу транзистора, делаем вывод, что с помощью транзистора можно усиливать электрические сигналы.
Поэтому транзистор стал основным элементом очень многих полупроводниковых приборов.
Зависимость электропроводности полупроводников от температуры дает возможность применять их в термісторах.
Термистор - полупроводниковый терморезистор, электрическое сопротивление которого существенно изменяется при повышении температуры.
Термисторы применяют как термометры для измерения температуры.
Во многих полупроводниках связь между электронами и атомами настолько незначительный, что достаточно облучить светом кристаллы, чтобы у них возникла дополнительное количество свободных носителей зарядов.
Фоторезисторы применяются в системах сигнализации и автоматике, дистанционного управления производственными процессами, сортировка изделий и др.
Полупроводниковые диоды и транзисторы являются «кирпичиками» очень сложных устройств, называются интегральными микросхемами.
Микросхемы работают сегодня в компьютерах и телевизорах, мобильных телефонах и искусственных спутниках, в автомобилях, самолетах и даже в стиральных машинах.
Интегральную схему изготавливают на пластинке кремния. Размер пластинки - от миллиметра до сантиметра, причем на одной такой пластинке может размещаться до миллиона компонентов - крошечных диодов, транзисторов, резисторов и др.
Важными преимуществами интегральных схем является высокое быстродействие и надежность, а также низкая стоимость. Именно благодаря этому на основе интегральных схем и удалось создать сложные, но многим доступны приборы, компьютеры и предметы современной бытовой техники.
ВОПРОС К УЧАЩИМСЯ В ХОДЕ ИЗЛОЖЕНИЯ НОВОГО МАТЕРИАЛА
Первый уровень
1. С помощью какого опыта можно убедиться в односторонней проводимости полупроводникового диода?
2. Почему база транзистора должна быть очень малым?
3. Какую проводимость может иметь база транзистора?
Второй уровень
1. Почему ток в коллекторе примерно равен току в эмиттере?
2. В закрытом ящике размещен полупроводниковый диод и реостат. Конце приборов выведены наружу и присоединены к клеммам. Как определить, какие клеммы принадлежат диода?
ЗАКРЕПЛЕНИЕ ИЗУЧЕННОГО МАТЕРИАЛА
1. Как повлияет на работу транзистора увеличение толщины его базы?
2. Известно, что в каждом транзисторе имеется два p - n -переходы, которые включены навстречу друг другу. Можно ли заменить один транзистор двумя включенными точно так же диодами?
1. Начертите схему включения транзистора p - n - p для усиления напряжения.
2. Начертите схему включения транзистора n - p - n для усиления напряжения.
3. Почему для получения вольт-амперной характеристики полупроводникового диода используют две различные схемы соединения приборов (см. рис. а, б)?
Решения. В этом случае нельзя считать сопротивление амперметра бесконечно малым, а сопротивление вольтметра - бесконечно большим. Схему а нельзя использовать для измерения обратного тока через диод (практически весь ток пойдет через вольтметр). Схему нельзя использовать для измерения напряжения прямого тока (напряжение на амперметрі намного превышает напряжение на диоде).
ЧТО МЫ УЗНАЛИ НА УРОКЕ
Транзистор - электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий управлять с помощью слабого входного сигнала электрическим током в электрической цепи.
С помощью транзистора можно усиливать электрические сигналы.
Термистор - полупроводниковый терморезистор, электрическое сопротивление которого существенно изменяется в случае повышения температуры.
Полупроводниковое устройство, в котором используют свойство проводника изменять свое сопротивление при освещении, называют фоторезистором.
Домашнее задание
1. Подр-1: § 16 (п. 5, 6, 7, 8); подр-2: § 8.
Рів1 № 6.6; 6.9; 6.15.
Рів2 № 6.16; 6.17; 6.18.
Рів3 №6.28; 6.2; 6.30.
УРОК 10/10
Тема. Электрический ток в полупроводниках
Цель урока: сформировать представление о свободных носителях электрического заряда в полупроводниках и о природе электрического тока в полупроводниках.
Тип урока: урок изучения нового материала.
ПЛАН УРОКА
Контроль знаний |
1. Электрический ток в металлах. 2. Электрический ток в электролитах. 3. Закон Фарадея для электролиза. 4. Электрический ток в газах |
|
Демонстрации |
Фрагменты видеофильма «Электрический ток в полупроводниках» |
|
Изучение нового материала |
1. Носители зарядов в полупроводниках. 2. Примесная проводимость полупроводников. 3. Электронно-дырочный переход. 4. Полупроводниковые диоды и транзисторы. 5. Интегральные микросхемы |
|
Закрепление изученного материала |
1. Качественные вопросы. 2. Учимся решать задачи |
ИЗУЧЕНИЕ НОВОГО МАТЕРИАЛА
Удельные сопротивления полупроводников при комнатной температуре имеют значения, которые находятся в широком интервале, т. е. от 10-3 до 107 Ом·м, и занимают промежуточное положение между металлами и диэлектриками.
Ø Полупроводники - вещества, удельное сопротивление которых очень быстро убывает с повышением температуры.
К полупроводникам относятся многие химические элементы (бор, кремний, германий, фосфор, мышьяк, селен, теллур и др.), огромное количество минералов, сплавов и химических соединений. Почти все неорганические вещества окружающего нас мира - полупроводники.
За достаточно низких температур и отсутствия внешних воздействий (например, освещения или нагрев) полупроводники не проводят электрический ток: при этих условиях все электроны в полупроводниках являются связанными.
Однако связь электронов со своими атомами в полупроводниках не такой крепкий, как в диэлектриках. И в случае повышения температуры, а так же за яркого освещения некоторые электроны отрываются от своих атомов и становятся свободными зарядами, то есть могут перемещаться по всему образцу.
Благодаря этому в полупроводниках появляются отрицательные носители заряда - свободные электроны.
Ø Проводимость полупроводника, обусловленная движением электронов, называют электронной.
Когда электрон отрывается от атома, положительный заряд этого атома становится некомпенсированным, то есть в этом месте появляется лишний положительный заряд. Этот положительный заряд называют «дыркой». Атом, вблизи которого образовалась дырка, может отобрать связанный электрон у соседнего атома, при этом дырка переместится до соседнего атома, а атом, в свою очередь, может «передать» дырку дальше.
Такое «естафетне» перемещение связанных электронов можно рассматривать как перемещение дырок, то есть положительных зарядов.
Ø Проводимость полупроводника, обусловленная движением дырок, называют дырочной.
Таким образом, различие дырочной проводимости от электронной заключается в том, что электронная проводимость обусловлена перемещением в полупроводниках свободных электронов, а дырочная - перемещением связанных электронов.
Ø В чистом полупроводнике (без примесей) электрический ток создает одинаковое количество свободных электронов и дырок. Такую проводимость называют собственной проводимостью полупроводников.
Если добавить в чистый расплавленный кремний незначительное количество мышьяка (примерно 10-5 %), после твердения образуется обычная кристаллическая решетка кремния, но в некоторых узлах решетки вместо атомов кремния будут находиться атомы мышьяка.
Мышьяк, как известно, пятивалентный элемент. Чотиривалентні электроны образуют парные электронные связи с соседними атомами кремния. Пятом же валентному электрону связи не хватит, при этом он будет слабо связан с атомом Мышьяка, который легко становится свободным. В результате каждый атом примеси даст один свободный электрон.
Ø Примеси, атомы которых легко отдают электроны, называются донорными.
Электроны из атомов кремния могут становиться свободными, образуя дыру, поэтому в кристалле могут одновременно существовать и свободные электроны и дырки. Однако свободных электронов во много раз будет больше, чем дырок.
Полупроводники, в которых основными носителями зарядов являются электроны, называют полупроводниками n -типа.
Если в кремний добавить незначительное количество трехвалентного индия, то характер проводимости полупроводника изменится. Поскольку индий имеет три валентных электрона, то он может установить ковалентная связь только с тремя соседними атомами. Для установки связи с четвертым атомом электрона не хватит. Индий «одолжит» электрон у соседних атомов, в результате каждый атом Индия образует одно вакантное место - дырку.
Ø Примеси, которые «захватывают» электроны атомов кристаллической решетки полупроводников, называются акцепторными.
В случае акцепторной примеси основными носителями заряда при прохождении электрического тока через полупроводник есть дыры. Полупроводники, в которых основными носителями зарядов являются дырки, называют полупроводниками р -типа.
Практически все полупроводники содержат и донорные, и акцепторные примеси. Тип проводимости полупроводника определяет примесь с более высокой концентрацией носителей заряда - электронов и дырок.
Следовательно, через границу раздела полупроводников n -типа и р-типа электрический ток идет только в одном направлении - от полупроводника p -типа к полупроводнику n -типа.
Это используют в устройствах, которые называют диодами.
Полупроводниковые диоды используют для выпрямления переменного тока направлении (такой ток называют переменным), а также для изготовления светодиодов. Полупроводниковые выпрямители имеют высокую надежность и длительный срок использования.
Широко применяют полупроводниковые диоды в радиотехнических устройствах: радиоприемниках, видеомагнитофонах, телевизорах, компьютерах.
Еще более важным применением полупроводников стал транзистор. Он состоит из трех слоев полупроводников: по краям расположены полупроводники одного типа, а между ними - тонкий слой полупроводника другого типа. Широкое применение транзисторов обусловлено тем, что с их помощью можно усиливать электрические сигналы. Поэтому транзистор стал основным элементом многих полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые диоды и транзисторы являются «кирпичиками» очень сложных устройств, которые называют интегральными микросхемами.
Микросхемы «работают» сегодня в компьютерах и телевизорах, в мобильных телефонах и искусственных спутниках, в автомобилях, самолетах и даже в стиральных машинах. Интегральную схему изготавливают на пластинке кремния. Размер пластинки - от миллиметра до сантиметра, причем на одной такой пластинке может размещаться до миллиона компонентов - крошечных диодов, транзисторов, резисторов и т. др.
Важными преимуществами интегральных схем является высокое быстродействие и надежность, а также низкая стоимость. Именно благодаря этому на основе интегральных схем и удалось создать сложные, но доступные многим приборы, компьютеры и предметы современной бытовой техники.
ВОПРОСЫ К УЧАЩИМСЯ В ХОДЕ ИЗЛОЖЕНИЯ НОВОГО МАТЕРИАЛА
Первый уровень
1. Какие вещества можно отнести к полупроводниковым?
2. Движением каких заряженных частиц создается ток в полупроводниках?
3. Почему сопротивление полупроводников очень сильно зависит от наличия примесей?
4. Как образуется p -n -переход? Какое свойство имеет p -n -переход?
5. Почему свободные носители зарядов не могут пройти сквозь p -n -переход полупроводника?
Второй уровень
1. После введения в германий примеси мышьяка концентрация электронов проводимости увеличилась. Как изменилась при этом концентрация дырок?
2. С помощью какого опыта можно убедиться в односторонней проводимости полупроводникового диода?
3. Можно ли получить р-n -переход, выполнив вплавления олова в германий или кремний?
ЗАКРЕПЛЕНИЕ ИЗУЧЕННОГО МАТЕРИАЛА
1. Какую проводимость (электронную или дырочную) имеет кремний с примесью галлия? индию? фосфора? сурьмы?
2. Какая проводимость (электронная или дырочная) будет в кремния, если к нему добавить фосфор? бор? алюминий? мышьяк?
3. Как изменится сопротивление образца кремния с примесью фосфора, если ввести в него примесь галлия? Концентрация атомов Фосфора и Галлия одинакова. (Ответ: увеличится)
ЧТО МЫ УЗНАЛИ НА УРОКЕ
· Полупроводники - вещества, удельное сопротивление которых очень быстро снижается с повышением температуры.
· Проводимость полупроводника, обусловленная движением электронов, называют электронной.
· Проводимость полупроводника, обусловленная движением дырок, называют дырочной.
· Примеси, атомы которых легко отдают электроны, называются донорными.
· Полупроводники, в которых основными носителями зарядов являются электроны, называют полупроводниками n -типа.
· Примеси, которые «захватывают» электроны атомов кристаллической решетки полупроводников, называются акцепторными.
· Полупроводники, в которых основными носителями зарядов являются дырки, называют полупроводниками р-типа.
· Контакт двух полупроводников с различными видами проводимости имеет свойства хорошо проводить ток в одном направлении и значительно хуже в противоположном направлении, то есть имеет одностороннюю проводимость.
Рів1 № 6.5; 6.7; 6.15; 6.17.
Рів2 № 6.16; 6.18; 6.24, 6.25.
Рів3 № 6.26, 6.28; 6.29; 6.30.
3. Д: подготовиться к самостоятельной работе № 4.
ПЛАН-КОНСПЕКТ УРОКА
Раздел 2 Тема 2.5 Полупроводниковые приборы
(Тема урока)
ФИО (полностью)
Дилигенская Юлия Владимировна
Место работы
БПОУ ВО «Череповецкий лесомеханический техникум им. В.П. Чкалова»
Должность
Преподаватель
Профессиональный модуль ПМ 01. Организация технического обслуживания и ремонта электрического и электромеханического оборудования
МДК 01.05 Типовые электрические схемы и функциональные узлы электронных и вычислительных устройств
ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ
Литература
Основная
1.Тугов Н. М. , Глебов Б.А., Чарыков Н.А.Полупроводниковые приборы- М.: Издательский центр «Академия,» 2004.-240 с
2.Миклашевский С.П., Промышленные элементы электронных схем. М: Высшая школа, 2006- 214 с.
Справочная
1.Диоды, транзисторы, оптоэлектронные приборы: Справочник , М.: Издательский центр «Академия,» 2005
2. Дидактический материал по общей электротехнике с основами электроники, Учебное пособие- М: Высшая школа. 2006 – 108 с
5.Цель урока:
Ознакомить обучающихся с разновидностями полупроводниковых приборов;
Дать представление о функциональном назначении каждого прибора;
Показать практическое значение полупроводниковых приборов в специальности.
6. Задачи:
- обучающие
помочь студентам изучить классификацию полупроводниковых приборов;.
-развивающие
развивать познавательный интерес студентов.
-воспитательные
воспитать информационную культуру студентов.
7.Тип урока – усвоения новых знаний
8.Формы работы учащихся – индивидуальная и групповая.
9.Необходимое техническое оборудование – мультимедийный компьютер преподавателя, видеопроектор,
Структура и ход урока
Таблица 1.
ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ КАРТА УРОКА
Этап урока
Название используемых ЭОР
(с указанием порядкового номера из Таблицы 2)
Деятельность преподавателя
Деятельность студента
Время
(в мин.)
Организационно-мотивационный
1. Схема устройства компьютера
Приветствует студентов. Проверяет подготовку учащихся к уроку и выполнение домашнего задания.
Формулирует тему урока и раскрывает цели урока.
Задает вопросы, мотивирующие учащихся на изучение новой темы:
Какие виды электронных схем вы знаете?
Какие типы полупроводниковых приборов вам известны?
Перечислите характеристики полупроводниковых материалов?
Обобщает ответы студентов, переходя к основной части урока.
Приветствуют преподавателя демонстрируют домашнюю работу в тетрадях.
Слушают и осмысливаю цели занятия, записывают дату и тему урока в тетрадях
Отвечают на поставленные вопросы.
Анализируют представленную на слайде информацию.
Основная часть:
Этап передачи новых знаний
2. Основные устройства полупроводниковых приборов
3. Характеристики диодов
4.Характеристики транзисторов
5. Характеристики микросхем
Лекция. (Демонстрация интерактивной презентации)
Обращает внимание на различие назначения и характеристик полупроводниковых приборов, используя видеофрагмент.
Указывает на конструкцию полупроводниковых приборов, выведя на экран схему, отражающую основные функциональные компоненты. полупроводниковых приборов
Рассказывает о каждом
полупроводниковом приборе
1) Диоды
Обращает внимание на то, что в основе свойств полупроводниковых материалов лежат общие принципы работы приборов
2) Транзисторы.
3)Микросхемы.
Слушают объяснение нового материала, делают записи в тетрадях.
Осмысливают новую информацию.
Изучают представленную схему, задают вопросы.
Чертят схемы в тетрадях.
Обсуждают, представленную на слайде информацию, демонстрируют свои знания из дисциплины « Физика» по характеристикам полупроводниковых приборов
Этап усвоения новых знаний
7 .Применение полупроводниковых приборов в специальности
Предлагает самостоятельно изучить понятие и назначение:
4) Полевые транзисторы в коммутационной аппаратуре.
Работа с учебником, выполнение записей в тетрадях. После изучения данного материала уясняют не понятные моменты.
Закрепления нового материала
Группа разбивается на бригады. Преподаватель каждой бригаде раздает карточки с ключевыми словами, которые надо дополнить терминами, по теме урока
Проверяет правильность выполнения задания
Каждая бригада работает над заданием, стараясь справиться с ним первой.
Подведения итогов урока
Оценивает деятельность студентов. Подводит общий итог урока.
Задает домашнее задание.
Благодарит студентов за урок.
Слушают и осмысливают итоги урока. Записывают домашнее задание в дневниках. Выражают отношение к уроку.